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實戰(zhàn)經(jīng)驗 | STM32G071 從 standby 模式退出后的 SRAM 數(shù)據(jù)保留
- 01 問題的描述某客戶使用 STM32G071 芯片從 standby 模式下喚醒,想要 SRAM 的數(shù)據(jù)在退出 standby模式后得以保持。根據(jù)手冊的描述,配置了相應的比特位,但是發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)仍然保持不了。02 問題的復現(xiàn)根據(jù)客戶的描述,以及 STM32G071 的最新版參考手冊 RM0444 發(fā)現(xiàn),在 standby 模式下,可以通過設置 PWR_CR3 的 RRS 比特位去控制 SRAM 的保持能力,相應的 API 接口函數(shù)為HAL_PWREx_EnableSRAMRetention()、HAL_PW
- 關鍵字: STM32G071 standby SRAM
格芯贏得AI芯片業(yè)務
- 像Nvidia這樣的芯片巨頭可以負擔得起7nm技術,但初創(chuàng)公司和其他規(guī)模較小的公司卻因為復雜的設計規(guī)則和高昂的流片成本而掙扎不已——所有這些都是為了在晶體管速度和成本方面取得適度的改善。格芯的新型12LP+技術提供了一條替代途徑,通過減小電壓而不是晶體管尺寸來降低功耗。格芯還開發(fā)了專門針對AI加速而優(yōu)化的新型SRAM和乘法累加(MAC)電路。其結果是,典型AI運算的功耗最多可減少75%。Groq和Tenstorrent等客戶已經(jīng)利用初代12LP技術獲得了業(yè)界領先的結果,首批采用12LP+工藝制造的產(chǎn)品將于
- 關鍵字: AI CNN SRAM CPU 芯片
使用帶有片上高速網(wǎng)絡的FPGA的八大好處
- 引言自從幾十年前首次推出FPGA以來,每種新架構都繼續(xù)在采用按位(bit-wise)的布線結構。雖然這種方法一直是成功的,但是隨著高速通信標準的興起,總是要求不斷增加片上總線位寬,以支持這些新的數(shù)據(jù)速率。這種限制的一個后果是,設計人員經(jīng)常花費大量的開發(fā)時間來嘗試實現(xiàn)時序收斂,犧牲性能來為他們的設計布局布線。傳統(tǒng)的FPGA布線基于整個FPGA中水平和垂直方向上運行的多個獨立分段互連線(segment),在水平和垂直布線的交叉點處帶有開關盒(switch box)以實現(xiàn)通路的連接。通過這些獨立段和開
- 關鍵字: ATT FCU SRAM FMAX
瑞薩電子宣布擴大IP授權范圍
- 全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社(TSE:6723)今日宣布擴大其備受歡迎的IP的授權范圍,幫助設計師能夠在瞬息萬變的行業(yè)中滿足廣泛的客戶需求。自即日起,客戶將可訪問諸如尖端的7nm(納米)SRAM和TCAM,以及領先的標準以太網(wǎng)時間敏感網(wǎng)絡(TSN)等IP。此外,瑞薩電子正致力于打造包括PIM(內(nèi)存處理)的系統(tǒng)IP,該技術首次在2019年6月的會議論文中提出,作為AI(人工智能)加速器引起廣泛關注。利用這些IP,客戶可迅速啟動其先進的半導體器件開發(fā)項目,例如為領先的5G網(wǎng)絡開發(fā)下一代AI芯
- 關鍵字: IP SRAM
嵌入式存儲器的前世今生,作為電子工程師的你知道嗎?
- 隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展,人類已經(jīng)進入了超深亞微米時代。先進的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規(guī)模的芯片上,形成所謂的SoC(片上系統(tǒng))。作為SoC重要組成部分的嵌入式存儲器,在SoC中所占的比重(面積)將逐漸增大。下面就隨嵌入式小編一起來了解一下相關內(nèi)容吧?! 〗谂_積電技術長孫元成在其自家技術論壇中,首次揭露臺積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取存儲)和eRRAM(嵌入式電阻式存儲器)將分別訂于明后年進行風險性試產(chǎn)。預計試產(chǎn)主要采用2
- 關鍵字: 存儲器 SRAM
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